NCD57256DR2G

NCD57256DR2G kan konfigureres som dobbelt lavside-, dobbelthøjside- eller halvbro-drivere for forbedret tilpasningsevne. Programmerbare kontrolmuligheder, herunder overlapning og dødtidsstyring, giver mulighed for præcis koblingsbetjening. Enheden inkluderer også en deaktiveringsstift til strømforsyningssekvensering og en ANB-funktion for at forenkle halvbro-konfigurationen. Den prioriterer sikkerhed med IGBT/MOSFET-portklemning og stramme UVLO-tærskler under kortslutninger. Fremragende 2,5 eller 5 kVrms galvanisk isolering sikrer robust ydeevne i højspændingsapplikationer. Derudover er den ideel til bilapplikationer, er AEC-Q100-kompatibel og har PPAP-funktioner. Endelig gør dens miljøoverholdelse som en blyfri, halogenfri/bromeret flammehæmmerfri og RoHS-kompatibel enhed det til et miljøvenligt valg. Sammenfattende giver NCD57256DR2G gate-driveren uovertruffen alsidighed, ydeevne og sikkerhed til en række forskellige applikationer.

• EV-opladere

• Motorstyring

• Uninterruptible Power Supplies (UPS)

• Industrielle strømforsyninger

• Solar invertere

• Automotive applikationer

NCx5725y er højstrøms to-kanals isolerede IGBT/MOSFET-gatedrivere med 2,5 eller 5 kVrms* intern galvanisk isolation fra input til hver udgang og funktionel isolation mellem de to udgangskanaler. Enheden accepterer 3,3 V til 20 V forspænding og signalniveauer på indgangssiden og op til 32 V forspænding på udgangssiden. Enheden accepterer komplementære indgange og tilbyder separate stifter til deaktivering og dødtid kontrol for nem systemdesign. Drivere er tilgængelige i wide body SOIC−16 og smal krop SOIC−16 pakke.

Populære tags: ncd57256dr2g, Kina ncd57256dr2g producenter, leverandører