NCV57256DR2G

NCV57256DR2G tilbyder fremragende spidsstrømskapacitet, konfigurerbarhed til lavside-, højside- eller halvbro-driverdrift og programmerbar overlapnings- eller dødtidskontrol for præcis skift. Forenklet halvbro-opsætning med deaktiveringsstift til power-sekventering og ANB-funktionalitet til power-sekventering, hvilket forbedrer systemkontrol og sikkerhed. Derudover giver den IGBT/MOSFET-portklemning under kortslutning, hvilket sikrer enhedsbeskyttelse. Driveren har kort udbredelsesforsinkelse, stram UVLO-tærskel og stærk galvanisk isolering, hvilket gør den velegnet til brug med NCV57256DR2G. Den er AEC-Q100 kvalificeret til bilbrug og miljøvenlig, RoHS-kompatibel. Alt i alt kombinerer NCV57256DR2G kraft og præcision, hvilket gør den til et fremragende valg til en række kraftelektronikapplikationer.

• EV-opladere

• Motorstyring

• Uninterruptible Power Supplies (UPS)

• Industrielle strømforsyninger

• Solar invertere

• Automotive applikationer

NCx5725y er højstrøms to-kanals isolerede IGBT/MOSFET-gatedrivere med 2,5 eller 5 kVrms* intern galvanisk isolation fra input til hver udgang og funktionel isolation mellem de to udgangskanaler. Enheden accepterer 3,3 V til 20 V forspænding og signalniveauer på indgangssiden og op til 32 V forspænding på udgangssiden. Enheden accepterer komplementære indgange og tilbyder separate stifter til deaktivering og dødtid kontrol for nem systemdesign. Drivere er tilgængelige i wide body SOIC−16 og smal krop SOIC−16 pakke.

Populære tags: ncv57256dr2g, Kina ncv57256dr2g producenter, leverandører