ILD621GB-X007T

OPTOISO 5,3KV 2CH TRANS 8SMD

Send forespørgsel

Beskrivelse

Tekniske parametre

Relaterede produkter:

Mfr Part	ILD621GB-X007	ILD621GB-X007T	ILD621GB-X017	ILD621GB-X017T
Beskrivelse	OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR UD	OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR UD	OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR UD	OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR UD
Lager	80000	80000	80000	80000
Produktstatus	Aktiv	Aktiv	Aktiv	Aktiv
Spænding - Isolation	5300 Vrms	5300 Vrms	5300 Vrms	5300 Vrms
Nuværende overførselsforhold (min.)	100 % @ 5mA	100 % @ 5mA	100 % @ 5mA	100 % @ 5mA
Nuværende overførselsforhold (maks.)	600 % ved 5mA	600 % ved 5mA	600 % ved 5mA	600 % ved 5mA
Tænd/sluk tid (Typ)	3us, 2,3us	3us, 2,3us	3us, 2,3us	3us, 2,3us
Input type	DC	DC	DC	DC
Udgangstype	Transistor DC	Transistor DC	Transistor DC	Transistor DC
Spænding - udgang (maks.)	70V	70V	70V	70V
Strøm - Udgang / Kanal	50mA	50mA	50mA	50mA
Spænding - Fremad (Vf) (Typ)	1.15V	1.15V	1.15V	1.15V
Strøm - DC Forward (Hvis) (Max)	60 mA	60 mA	60 mA	60 mA
Driftstemperatur	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C
Pakke/etui	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)
Pakke	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)

Generel beskrivelse:

ILD621, ILQ621, ILD621GB, ILQ621GB er multi-kanal fototransistor optokoblere, der bruger GaAs IRED emittere og high gain NPN silicium fototransistorer. Disse enheder er konstrueret ved hjælp af dobbeltstøbt isoleringsteknologi.

ILD621, ILQ621GB er velegnet til CMOS-grænseflader givet CTRCEsat på 30 % minimum ved IF på 1,0 mA. Lineær drift med høj forstærkning er garanteret med en minimum CTRCE på 100 % ved 5,0 mA. ILD621, ILQ621 har en garanteret CTRCE på 50 % minimum ved 5,0 mA. Det gennemsigtige ion-skjold sikrer stabil DC-forstærkning i applikationer som strømforsyningsfeedback-kredsløb, hvor der er konstante DC VIO-spændinger.

Populære tags: ild621gb-x007t, Kina ild621gb-x007t producenter, leverandører

Et par af

H11D2-X007T

Næste

H11AA1-X007T

Send forespørgsel

Du kan også lide