H11AG1SR2M

H11AG1SR2M

OPTOISO 5KV TRANS M/BASE 6SMD
Send forespørgsel

Beskrivelse

Tekniske parametre

Relaterede produkter:

 

Mfr Part

H11AG1SM

H11AG1SR2M

H11AG1SR2VM

H11AG1SVM

Beskrivelse

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR UD

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR UD

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR UD

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR UD

Lager

80000

80000

80000

80000

Produktstatus

Aktiv

Aktiv

Aktiv

Aktiv

Spænding - Isolation

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

Nuværende overførselsforhold (min.)

300 % @ 1mA

300 % @ 1mA

300 % @ 1mA

300 % @ 1mA

Nuværende overførselsforhold (maks.)

-

-

-

-

Tænd/sluk tid (Typ)

-

-

-

-

Input type

DC

DC

DC

DC

Udgangstype

Transistor DC

Transistor DC

Transistor DC

Transistor DC

Spænding - udgang (maks.)

70V

70V

70V

70V

Strøm - Udgang / Kanal

150mA

150mA

150mA

150mA

Spænding - Fremad (Vf) (Typ)

1.45V

1.45V

1.45V

1.45V

Aktuel - DC Forward (Hvis) (Max)

-

-

-

-

Driftstemperatur

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

Pakke/etui

SMD6 (7,62 mm)

SMD6 (7,62 mm)

SMD6 (7,62 mm)

SMD6 (7,62 mm)

Pakke

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

 

Anvendelses:

 

• CMOS-drevet solid state-pålidelighed

• Telefon ringedetektor

• Digital logisk isolation

 

Generel beskrivelse:

 

H11AG1M-enheden består af en gallium-aluminium-arsenid IRED emitterende diode koblet med en silicium fototransistor i en dobbelt in-line pakke. Denne enhed giver den unikke egenskab med højt strømoverførselsforhold ved både lav udgangsspænding og lav indgangsstrøm. Dette gør den ideel til brug i logiske kredsløb med lav effekt, telekommunikationsudstyr og bærbare elektronikisoleringsapplikationer.

Populære tags: h11ag1sr2m, Kina h11ag1sr2m producenter, leverandører

Send forespørgsel